همكاري IBM و سامسونگ براي عمر باتري گوشي هاي آينده

همكاري بين IBM و سامسونگ براي عمر باتري بيشتر در آينده. با ما همراه باشيد تا همكاري اين دو غول فناوري اطلاعات را برجسته كنيم.

باتري‌ها، اين سلول‌هاي كوچك و قدرتمند كنار هم قرار گرفته‌اند، به همين دليل است كه ما اينقدر مشغول ماشين‌هاي برقي هستيم و تقريباً هر روز گوشي‌هاي هوشمند خود را شارژ مي‌كنيم. عمر باتري مدت هاست كه مشكل سازندگان مختلف بوده است.

باتري هاي ليتيومي اكنون ده ها سال از عمرشان مي گذرد و از سوي ديگر، به استثناي بسياري از پيشرفت ها مانند باتري هاي حالت جامد، باتري هاي گرافن كاتدي، ابرخازن ها و غيره، واقعيت اين است كه اين نمونه هاي اوليه سال هاست كه در حال توليد انبوه بوده اند. استفاده انبوه در تجهيزات الكتريكي از پايان دور است

همكاري بين IBM و سامسونگ

پس از فراز و نشيب هاي فراوان، گزارش شده است كه سامسونگ و آي بي ام رويكردي كاملا متفاوت در پيش گرفته اند. غول هاي فناوري به جاي تلاش براي افزايش ظرفيت باتري، نوع جديدي از معماري تراشه را توسعه مي دهند كه مي تواند مصرف انرژي را تا 85 درصد كاهش دهد. اين فناوري جديد مي تواند به طور موثر گوشي هاي هوشمند را با يك بار شارژ پشتيباني كند و نانو ترانزيستور فرستنده اثر ميدان عمودي (VTFET) ناميده مي شود.

بيشتر تراشه هاي مدرن (مانند اسنپدراگون داخل گوشي اندرويدي يا A15 Bionic در داخل آيفون) بر پايه ترانزيستورهاي اثر ميداني با اثر جانبي (finFET) ساخته شده اند. اگر خيلي عميق به الكترونيك نگاه نكنيم، به زبان ساده به اين معني است كه ترانزيستورهاي داخل تراشه‌ها در وضعيت صاف قرار دارند و سيگنال به صورت دو بعدي به جلو و عقب مي‌رود.

طراحي جديد VTFET اين طرح را مي گيرد و به صورت عمودي بسته و گسترش مي يابد (مانند قدرت VNAND ساخته شده توسط سامسونگ). IBM و سامسونگ با بسته‌بندي ترانزيستورها توانسته‌اند محدوديت‌هاي طراحي خاصي را محدود كنند، اتصال و سطح بهتري را فراهم كنند و طول ورودي ترانزيستور را افزايش دهند.

در نتيجه، طراحي جديد را مي توان به دو روش مختلف بهبود بخشيد. روش اول از فناوري عملياتي استفاده مي كند، كه در آن عملكرد مشابه ساختارهاي مدرن ARM مانند چيپست هاي Snapdragon و Bionic ذكر شده است، اما با اين وجود، به دليل افزايش كارايي، اين روش مي تواند عمر را تا 85٪ افزايش دهد. و گره شارژ را در فناوري مدرن گوشي هاي هوشمند حل كرد.

اما در روش دوم و روش ديگر افزايش عملكرد تراشه در راستاي استفاده از قدرت طراحي مدرن انجام مي شود. رفتن به اين سمت در مقايسه با ساير روش هاي مدرن FET، كارايي را 100% افزايش مي دهد.

بيشتر بخوانيد:

نظر شما در مورد همكاري بين IBM و سامسونگ چيست؟ نظرات خود را در قسمت نظرات بنويسيد تكرار با ما به اشتراك بگذاريد